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项目列表
  • 项目简介:SOI LIGBT器件由于其较小的体积、重量,较高的工作温度和较强的抗辐照能力,较低的成本和较高的可靠性,作为无触点功率电子开关或功率驱动器在智能电力电子、高温环境电力电子、空间电力电子和交通工具电力电子等技术中具有广泛应用。
    项目成熟度:通过中试
    项目分类:半导体材料
    价格:0万元
  • 项目简介:此项技术可以用于大功率LED芯片的封装,具有广阔的市场前景,进一步可以推广到大功率半导体激光器的封装中。
    项目成熟度:通过中试
    项目分类:半导体材料
    价格:0万元
  • 项目简介:该技术的相关研究内容申请中国专利20余项,已经获得中国专利授权10余项。
    项目成熟度:已经应用
    项目分类:半导体材料
    价格:0万元
  • 项目简介:本项目的目标产品为600V—900V GaN功率器件。这是一种新型的半导体开关器件,其特点是体积小、效率高、性能稳定、寿命长
    项目成熟度:已有样品
    项目分类:半导体材料
    价格:0万元
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